Messungen der Oberflächenphotospannung zur Bestimmung von elektronischen Zustandsdichten an SiO2/Si-Grenzflächen

Typ

Beitrag Konferenzband von Prof. Dr. Bert Stegemann

Zitation

Stegemann, Bert ; Balamou, Patrice ; Angermann, Heike: Messungen der Oberflächenphotospannung zur Bestimmung von elektronischen Zustandsdichten an SiO2/Si-Grenzflächen. In: Book of Abstracts „19. Arbeitstagung Angewandte Oberflächenanalytik“ , S. O-Di-15, Fraunhofer-Anwendungszentrum für Anorganische Leuchtstoffe, Soest, 2016, ISBN -