Messungen der Oberflächenphotospannung zur Bestimmung von elektronischen Zustandsdichten an SiO2/Si-Grenzflächen

Konferenzbeitrag › Konferenzpaper › 2016

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Stegemann, Bert; Balamou, Patrice; Angermann, Heike: Messungen der Oberflächenphotospannung zur Bestimmung von elektronischen Zustandsdichten an SiO2/Si-Grenzflächen. In: Book of Abstracts „19. Arbeitstagung Angewandte Oberflächenanalytik“ . Soest: Fraunhofer-Anwendungszentrum für Anorganische Leuchtstoffe 2016, S. O-Di-15.

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