3D - Metallisation mittels Atmosphärendruck-Sputtern für harsh environment Sensorgehäuse (3D Wire)

Es soll in diesem Projekt eine Anlage entwickelt werden, welche mittels Atmosphärendruck-Sputtern Dünnschicht-Leiterzüge auf Keramik-Rohlinge für Sensorgehäuse aufbringt, um so die elektrische Verbindung zwischen Sensor und Gehäuse-Außenseite zu bewerkstelligen.

Das Teilprojekt der HTW Berlin beinhaltet die Chipentwicklung, die Erarbeitung der Sensorspezifikationen und die Konzeptentwicklung für ein modulares HT-Drucksensorsystem. Darauf basierend wird die Arbeitsgruppe dann ein Chipdesign erstellen und mittels FEM-Analysen optimieren. Diese Arbeiten schließen auch die Simulation der thermischen Spannungen mit ein, die sich aufgrund der unterschiedlichen Materialien und den extrem hohen Temperaturen ergeben. Diese Arbeiten erfolgen in enger Zusammenarbeit mit den Partnern, die für die HT-Gehäuse und HT-AVT verantwortlich sind. Die HTW Berlin wird zudem an der Entwicklung, der Dotierung, Hochtemperaturmetallisierung und der fotoelektrochemischen Ätztechnik zur Strukturierung von Sensorelementen arbeiten. Für diese Arbeiten liegen bereits umfangreiche Vorarbeiten aus früheren Projekten vor. Unter Verwendung der entwickelten Prozesse wird die HTW Berlin dann die Waferprozessierung für die Herstellung der Sensorelemente durchführen. Die HTW Berlin beteiligt sich auch an der Erstellung eines Sensor-Prototyps mittels der in diesem Projekt entwickelten Technologie.

Projektlaufzeit

1.4.2017 - 30.6.2020

Projektleitung

Projektmitarbeiter/innen

Kooperationspartner

  • Aurion Anlagentechnik GmbH

Mittelgeber

Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (BMWi)

Förderprogramme

Zentrales Innovationsprogramm Mittelstand (ZIM)